САНТА-КЛАРА, Калифорния, 4 апреля 2006 г. – Корпорация Intel первой в индустрии наладила выпуск многоуровневых микросхем флэш-памяти для мобильных устройств класса NOR с емкостью 1 Гбит, используя передовую 65-нанометровую производственную технологию. Производимые корпорацией Intel микросхемы флэш-памяти NOR применяются в мобильных телефонах для управления критически важными функциями, а также для хранения персональной информации, фотографий, музыки и видео.

Универсальная архитектура флэш-памяти, упрощающая переход с 90-нанометровой производственной технологии на 65-нанометровую, обеспечит сотрудничающим с корпорацией Intel OEM-производителям карманных устройств преимущества в области выпуска новой продукции.

«Предлагая эти новые компоненты, корпорация Intel подтверждает свое лидерство в области разработки передовых микросхем флэш-памяти NOR для массового рынка карманных устройств, — сказал Брайан Гаррисон (Brian Harrison), вице-президент корпорации Intel и генеральный менеджер ее отделения Flash Memory Group. — Наша 65-нанометровая производственная технология позволит повысить производительность флэш-памяти, что поможет разработать карманные устройства следующего поколения, которые обеспечат пользователям расширенные возможности».

Образцы новых микросхем флэш-памяти станут доступными для заказчиков позднее во втором квартале этого года.

О 65-нанометровой производственной технологии Intel

К производству микропроцессоров с использованием 65-нанометровой технологии корпорация Intel приступила во второй половине 2005 года. В настоящее время с применением этой технологии корпорация производит процессоры для мобильных и настольных ПК, а также для серверов и встраиваемых систем.